报告题目：拓扑自旋物理、材料与器件

报告人：江万军（清华大学）

报告时间：2024年11月8日（周五） 15：00-16：00

报告地点：北洋园校区49教410室

报告摘要：

      拓扑自旋电子学以研究手性材料中自旋结构的拓扑物理与器件应用为核心，相关研究在凝聚态物理领域内已形成一个较大的分支。以磁斯格明子为例，由于其可以被高效驱动，因而可以用来开发高性能自旋存储、人工智能器件。同时，实空间自旋拓扑态也衍生出了新奇的物理现象，譬如新兴磁电动力学、斯格明子的霍尔效应等等。本次报告中，我将详细汇报斯格明子新材料、拓扑物理、原型器件等方面的研究进展。包括磁斯格明子的可控产生和调控、动力学，以及结合隧道磁电阻效应探测纳米尺度斯格明子的方法。最后，我将展望领域内的一些挑战问题。

报告人简介：

      江万军，清华大学物理系副教授，2005年本科毕业于兰州大学物理学院，2010年博士毕业于加拿大曼尼托巴大学物理与天文系。2010年9月至2016年6月期间，先后在美国加州大学洛杉矶分校、阿贡国家实验室开展博士后研究工作。2016年9月通过青年千人计划，入职清华大学物理系，于2022年获得国家杰出青年基金资助。江万军课题组长期从事自旋电子学方面的研究，研究兴趣集中在自旋相关成像技术，表面与界面磁学，以及拓扑磁性的新材料和原理型器件。

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