报告题目  ：三维拓扑磁结构-磁霍普夫子的层展电磁响应 (Emergent electromagnetic responses of a magnetic hopfion )

报告人：   刘艺舟 研究员 （中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心） 

报告时间：2024年8月9日（星期五）10：00-12：00

报告地点：北洋园校区 49 教 410 室 

报告摘要：

       通过磁矩排列方向对信息进行编码是磁存储技术的基本原理。虽然人们通常使用磁矩的单轴方向（如“上”或“下”）来编码信息，但材料中磁矩实际上可以指向任何方向，从而产生丰富的“磁结构”。其中一些结构是无规律的，但一些特殊的磁结构可以通过拓扑荷来进行分类，因此被称为拓扑磁结构。本报告中，我将从经典的二维拓扑磁结构—磁斯格明子出发，介绍其跨越空间维度形成的新型三维拓扑磁结构—磁霍普夫子。磁霍普夫子具有丰富的三维结构，可以引起多种新奇的物理现象，其中我将简要讨论霍普夫子的基本动力学模式和非线性动力学特性，如非互易运动和非线性霍普夫子霍尔效应。除了磁动力学之外，我还将讨论与霍普夫子相关的非线性霍尔效应和非互易磁阻等电输运现象。

报告人简介：

      刘艺舟，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心，研究员。2017年于美国加州大学河滨分校获博士学位。2018年至2023年分别在中国科学院物理研究所和日本理化学研究所（RIKEN）做博士后研究。主要研究方向为凝聚态磁学理论，如磁性系统中的拓扑磁结构、自旋动力学及输运现象等。在Nat. Mater., Phys. Rev. Lett., Nat. Commun., Sci. Adv.等期刊发表论文50余篇。