报告题目：外延氧化铟单晶薄膜的生长与表征

报告人：孙志祥 副教授（天津大学量子交叉研究中心）     

报告时间：2025年4月11日（周五）14：00-15：00

报告地点：北洋园校区49教410室

报告摘要：

氧化铟(In₂O₃)作为一种宽禁带n型透明半导体材料，在透明电极、气体传感器和催化领域有重要的应用价值。对氧化铟本征物理化学性质的研究需要高质量的晶体。然而，由于氧化铟材料的特性，高质量大尺寸晶体的可控生长具有挑战性。我将介绍我们利用低压化学气象沉积(LPCVD)的方法在氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)衬底上生长的氧化铟薄膜的相关结果，包括对薄膜基本性质的测量，以及利用扫描隧道显微镜（STM）对表面微观结构的表征。

报告人简介：

       孙志祥，天津大学理学院量子交叉研究中心副教授。主要的研究领域为扫描探针显微镜在量子物质、新能源材料和表面物理化学领域的应用。